參數指標：
純度：>99%，
總含氧量：<0.8%
N含量：33.5%
金屬雜質(zhì)含量：200ppm
D50: 50nm
比表面積：58.94m2/g
保存期: 干燥環(huán)境下保存二年

性能：氮化鋁粉體純度高，分布均勻、良好的注射成形性能；具有較高的高溫強度及較高的熱導系數，具有良好的絕緣性、耐高溫、耐腐蝕等特性，較低的介電常數及介電損耗，熱膨脹接近于硅，具有較好的機械加工性等。是一種具有廣泛應用前途的高導熱陶瓷材料。是半導體、功率�？�、電子封裝、大規模集成電路基片，導電蒸發(fā)舟等電子材料領(lǐng)域的重要材料�？梢杂闷渲谱髹釄搴蜐仓�模具等結構材料。

主要用途：
1）用作大功率半導體器件的絕緣基片、大規模和超大規模集成電路的散熱基片、鋰電池內部的隔板材料、切削工具、封裝材料、高溫潤滑劑、熱散板及粘結劑等。
2)制造集成電路基板、電子器件、光學(xué)器件、散熱器、高溫坩鍋；制備金屬基及高分子基復合材料，特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應用前景。
3）導熱填料：如金屬、陶瓷及石墨基復合材料，橡膠、塑膠、涂料、膠粘劑及其它高分子基復合材料。