K465i MOCVD加熱器


反應腔是MOCVD*重要的部位，材料的特性與設備的好壞都由它決定。反應腔主要是所有氣體混合及發(fā)生反應的地方，腔體通常是由不銹鋼(帶有冷卻水回路)或是石英(太危險已成歷史)所打造而成，而腔體的內壁通常具有由石英或是高溫陶瓷所構成的內襯。在腔體中會(huì )有一個(gè)乘載盤(pán)(Wafer Carrier / Suscepetor)用來(lái)乘載基板，這個(gè)乘載盤(pán)必須能夠有效率地吸收從加熱器所提供的能量而達到薄膜成長(cháng)時(shí)所需要的溫度，而且還不能與反應氣體發(fā)生反應，所以多半是用石墨所制造而成。(因為成長(cháng)GaN需要NH3做為反應源，而NH3在高溫時(shí)有腐蝕性所以石墨會(huì )鍍上SiC保護。)加熱器的設置，有的設置在反應腔體之內，也有設置在腔體之外。在反應腔體內部通常有許多可以讓冷卻水流通的通道，可以讓冷卻水來(lái)避免腔體本身在薄膜成長(cháng)時(shí)發(fā)生過(guò)熱的狀況。